發(fā)布：2022-02-12 09:24:09 關(guān)注：23819次
本實(shí)驗(yàn)室是上海交通大學(xué)微納工程科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。實(shí)驗(yàn)室致力于發(fā)展新一代具有競爭力的納米技術(shù)，為工程技術(shù)人員提供一個良好的發(fā)展平臺。誠摯歡迎有志于相關(guān)方向的優(yōu)秀人才前來申請。有意者，請應(yīng)聘崗位并將簡歷發(fā)送至chenqiancqsjtu@sjtu.edu.cn,抄送chenpp@sjtu.edu.cn，郵件標(biāo)題注明：崗位名稱+本人姓名+畢業(yè)姓名+高校人才網(wǎng)。
| 招聘崗位：cmos器件研發(fā)工程師 | |
| 招聘人數(shù)：1名 | |
| 聘用方式 |
| 項(xiàng)目聘用a |
| 招聘條件 |
| 研究生教育學(xué)歷,碩士及以上學(xué)位 微電子或材料制備等相關(guān)專業(yè)背景，熟悉半導(dǎo)體相關(guān)材料和工藝設(shè)備，包括但不限于光刻、電子束蒸發(fā)、ald、pecvd、刻蝕等工藝；能夠積極參加實(shí)驗(yàn)室科研平臺建設(shè)，并不斷學(xué)習(xí)提升科研能力；工作認(rèn)真負(fù)責(zé)，善于思考，熱愛研究性工作；有集成電路制造和測試經(jīng)歷者優(yōu)先。 |
| 崗位職責(zé) |
| 1.負(fù)責(zé)cmos器件的加工測試：(a）通過選擇合適的金屬電極材料和柵極介電材料，制備出高性能pmos和nmos器件；(b)優(yōu)化加工工藝，改善p/nmos性能；(c)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模陣列化器件的均一性和穩(wěn)定性。2.氧化物薄膜的生長和刻蝕工藝：(a)通過pvd、pecvd、ald等工藝生長制備高質(zhì)量氧化層；(b)通過干法刻蝕或ibe實(shí)現(xiàn)薄膜圖形化。 |
| 崗位待遇 |
| 1.提供具有市場競爭力的薪酬,具體工資一人一議。2.良好的校園工作環(huán)境，正常的工作時間（無三班倒），享受國家法定節(jié)假日，提供靈活的寒暑假期，寒暑假天數(shù)和績效掛鉤，績效優(yōu)異者或做出重大貢獻(xiàn)者，可增加至三周假期。3.根據(jù)工作表現(xiàn)，提供有競爭性年終獎，重大突出成就或貢獻(xiàn)者，高達(dá)6個月的績效獎。 |
| 其他 |
| 無 |
| 聯(lián)系方式 |
| 聯(lián)系人：陳老師 tel：無；e-mail：chenqiancqsjtu@sjtu.edu.cn,抄送至chenpp@sjtu.edu.cn 聯(lián)系地址：上海市閔行區(qū)東川路800號上海交通大學(xué) |
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